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介質損耗正切角tanδ測量的意義和原理

更新時間:2024-11-08      點擊次數(shù):787

介質損耗正切tanδ測量的意義

 

通過測量tanδ,可以反映出絕緣的一系列缺陷,如絕緣受潮,油或浸漬劑臟污或老化變質,絕緣中有氣隙發(fā)生放電等。這時,流過絕緣的電流中有功電流分量增大了,tanδ也加大。絕緣中存在氣隙這種缺陷,最好通過做tanδ與外加電壓的關系曲線tanδ~U 來發(fā)現(xiàn)。例如對于電機線棒,如果絕緣老化,氣隙較多,則tanδ~U將呈明顯的轉折。Uc代表較多氣隙開始放電時的外加電壓,從tanδ增加的陡度可反映出老化的程度。

 

 

測量原理

 

tanδ是反映絕緣功率損耗大小的特性參數(shù),與絕緣的體積大小無關。如果絕緣內(nèi)的缺陷不是分布性而是集中性的,則測量tanδ有時反映就不靈敏。被試絕緣的體積越大,或集中性缺陷所占的體積越小,那么集中性缺陷處的介質損耗占被試絕緣全部電介質中的比重就越小,而Ic一般幾乎是不變的,故可知,總體的tanδ增加得也越少,這樣,測 tanδ法就越不靈敏。對于像電機、電纜這類電氣設備,由于運行中故障多數(shù)為集中性缺陷發(fā)展所致,而且被試絕緣的體積較大,tanδ法效果就差,而套管的體積小,tanδ法不僅可以反映套管絕緣的全面情況,而且有時可以檢查出其中的集中性缺陷。

當被試品絕緣由不同的電介質組成,例如由兩種不同的絕緣部分并聯(lián)組成時,因被試品總的介質損耗為其兩個組成部分介質損耗之和,且被試品所受電壓即為各組成部分所受的電壓,可知C2/Cx越小,則C2中的缺陷(tanδ2增大)在測整體的tanδ時越難發(fā)現(xiàn)。故對于可以分解為各個絕緣部分的被試品,常用分解進行tanδ測量的方法。例如測變壓器 tanδ時,對套管的tanδ單獨進行測量可以有利于發(fā)現(xiàn)套管的缺陷,否則,由于套管的電容比變壓器繞組的電容小得多,在測量變壓器繞組連同套管的tanδ時,就不易反映套管內(nèi)的缺陷。

在通過 tanδ值判斷絕緣狀況時,仍然需要著重于與該設備歷年(相近溫度下)的tanδ值相比較以及和處于同樣運行條件下的同類型設備相比較。即使tanδ值未超過標準,但和過去比以及和同樣運行條件的其他設備比,若tanδ突然明顯增大時,就必須認真對待,不然也會在運行中發(fā)生事故。

測量儀器

 

北京航天偉創(chuàng)設備科技有限公司生產(chǎn)的LDJD系列介電常數(shù)及介質損耗測試儀,可以測量固體、液體、粉體的介電常數(shù)和介質損耗正切tanδ值。

 

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